第三代半导体材料市场现状及发展分析
1、半导体材料
半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半导体材料以硅（Si）为代表，第二代半导体材料以砷化镓（GaAs）为代表，第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）等宽禁带为代表。相较前两代产品，第三代半导体的性能优势非常显着且受到业内广泛好评。
以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料最大的优点在于能够适应高压，高频和高温的极端环境，性能大幅提升。由于SiC和GaN的禁带宽度远大于Si和GaAs，相应的本征载流子浓度小于Si和GaAs，宽禁带半导体的最高工作温度要高于第一、第二代半导体材料。击穿场强和饱和热导率也远大于Si和GaAs。因此，它们是5G时代基站建设的理想材料。
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